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BRCS7002K2ZK

1个N沟道 耐压:60V 电流:0.36A

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描述
DFN1006-3L-0.5 塑封封装 N 沟道MOS 场效应管。
商品型号
BRCS7002K2ZK
商品编号
C914084
商品封装
DFN1006-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.009克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)360mA
导通电阻(RDS(on))1.9Ω@5V
耗散功率(Pd)360mW
阈值电压(Vgs(th))1.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)700pC@4.5V
输入电容(Ciss)25pF
反向传输电容(Crss)2.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)11pF

商品概述

DFN1006-3L-0.5 塑封封装 N 沟道MOS 场效应管。 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 1006-3L Plastic Package.

商品特性

  • 灵敏的控制级触发电流和很低的维持电流
  • 静电保护达 2KV
  • 无卤产品

应用领域

  • 用作一般的开关和相位控制
  • Intended for use in general purpose switching and phase control applications

数据手册PDF