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FS8205A
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：电池保护。 开关应用
- 品牌名称
- FUXINSEMI(富芯森美)
- 商品型号
- FS8205A
- 商品编号
- C908265
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款P沟道逻辑电平MOSFET采用仙童先进的PowerTrench工艺制造，针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -4 A，-30 V。VGS = -10 V时，RDS(ON) = 50 mΩ
- VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 75 mΩ
- 栅极电荷低
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
应用领域
- 电池管理-负载开关-电池保护
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