温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FS8205A
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：电池保护。 开关应用
- 品牌名称
- FUXINSEMI(富芯森美)
- 商品型号
- FS8205A
- 商品编号
- C908265
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道逻辑电平MOSFET采用仙童先进的PowerTrench工艺制造，针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
- 电池保护
- 开关应用
其他推荐
- 2SK3569(STA4,X,M)
- ACPL-330J-500E
- 1MS3T1B1M1QES-5
- 1MD3T1B1M1QES-5
- 1M33T1B1M1QES-5
- 1MS3T1B1M2QES-5
- 1MD3T1B1M2QES-5
- 1M33T1B1M2QES-5
- 1AS1T1B1M2QES-5
- 1AS3T1B1M2QES-5
- 1AD3T1B4M2QES
- 1AD3T1B4M1QES
- 1FS3T1B6M2QES-5
- 1FD3T1B6M1QES-5
- 1FD3T1B6M2QES
- 2MS1T1B1M2QES-5
- 2MS3T1B1M1QES-5
- 2MD1T1B1M2QES-5
- 2MD3T1B1M2QES-5
- 2AS3T1A1M2QES
- 2BS1T1A1MTQES