PD85004
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 4W |
商品概述
Power SOT P沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些应用需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- -5.9A，-30V。VGS = -10V时，RDS(ON) = 0.05Ω
- VGS = -6V时，RDS(ON) = 0.07Ω
- VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 0.09Ω
- 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和电流处理能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路