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NLV14069UBDR2G
NLV14069UBDR2G
- 描述
- MC14069UB 六路逆变器在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。此类逆变器主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。六个逆变器中每个均为单级，最大程度降低了传播延迟。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NLV14069UBDR2G
- 商品编号
- C904787
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
MC14069UB 六反相器采用 MOS P沟道和N沟道增强模式器件构建在一个单片结构中。这些反相器主要用于需要低功耗和/或高噪声抗扰度的场合。每个六反相器都是单级设计，以最小化传播延迟。
商品特性
- 电源电压范围：3.0 Vdc 至 18 Vdc
- 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗 TTL 负载或一个低功耗肖特基 TTL 负载
- 所有输入端具有三重二极管保护
- 可直接替代 CD4069UB
- 符合 JEDEC UB 规范
- NLV 前缀适用于汽车及其他需要独特站点和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q100 标准并具备 PPAP 能力
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
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