NCV887102D1R2G
非同步升压控制器
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- 描述
- NCV8871是一款可调输出的非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制,具有内部斜坡补偿。内置调节器为栅极驱动器提供充电。保护功能包括内部设置的软启动、欠压锁定、逐周期电流限制、hiccup模式短路保护和热关断。附加功能包括低静态电流睡眠模式和外部可同步的开关频率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCV887102D1R2G
- 商品编号
- C904701
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 升压型 | |
| 工作电压 | 3.2V~40V | |
| 输出电流 | - | |
| 开关频率 | 1MHz | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(TJ) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 否 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 升压式 | |
| 开关管(内置/外置) | 外置 | |
| 输出类型 | - |
商品概述
NCV8871是一款可调输出的非同步升压控制器，可驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制。IC集成了一个内部稳压器，为栅极驱动器提供电荷。 保护功能包括内部设置的软启动、欠压锁定、逐周期电流限制、打嗝模式短路保护和热关断。 其他特性包括低静态电流睡眠模式和外部可同步开关频率。
商品特性
- 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制，1.2 V ±2%参考电压
- 固定频率工作
- 3.2 V至40 Vdc宽输入电压范围，45 V负载突降
- 输入欠压锁定（UVLO）
- 内部软启动
- 睡眠模式下低静态电流
- 逐周期电流限制保护
- 打嗝模式过流保护（OCP）
- 打嗝模式短路保护（SCP）
- 热关断（TSD）
- 这是一款无铅器件
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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