NCV898032D1R2G
2 MHz 车规级非同步升压控制器
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- 描述
- NCV898032是一款可调输出的非同步升压控制器,驱动外部N通道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制,具有内部斜坡补偿。它还集成了内部调节器,为栅极驱动器提供充电。保护功能包括内部软启动、欠压锁定、逐周期电流限制和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容输入引脚。适用于LED照明、头灯和背光应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCV898032D1R2G
- 商品编号
- C904709
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 升压型 | |
| 工作电压 | 3.2V~40V | |
| 输出电压 | - | |
| 输出电流 | 800mA | |
| 开关频率 | 2MHz | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 否 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 升压式 | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 开关管(内置/外置) | 外置 | |
| 输出类型 | 可调 |
商品概述
NCV898032是一款可调输出的非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制,并具有内部斜坡补偿。IC内置了一个调节器,为栅极驱动器供电。
保护特性包括内部设定的软启动、欠压锁定、逐周期电流限制和热关断。其他特性还包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容输入引脚。
商品特性
- 带内部斜坡补偿的峰值电流模式控制
- 0.2 V ±3% 参考电压,适用于恒定电流负载
- 2 MHz 固定频率工作
- 宽输入电压范围:3.2 V 至 40 V,45 V 负载突降
- 输入欠压锁定 (UVLO)
- 内部软启动
- 睡眠模式下的低静态电流,典型值 <10 μA
- 周期性电流限制保护
- 打嗝模式过流保护 (OCP)
- 热关断 (TSD)
- NCV 前缀适用于汽车及其他需要独特现场和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q100 标准并具备 PPAP 能力
- 这些器件无铅、无卤素/无 BFR,并符合 RoHS 标准
应用领域
- LED照明
- 前大灯
- 背光
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
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