我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
NCP1365BABCYDR2G实物图
  • NCP1365BABCYDR2G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCP1365BABCYDR2G

NCP1365BABCYDR2G

描述
NCP1365 提供了一个新型方案,通用电源反激应用中比 20 W 略高几瓦的输出功率等级。由于采用一种新方法,此新控制器不再需要辅助反馈电路(通常为光耦合器和 TL431 参比),同时可以实现卓越的线路和负载调节。NCP1365 在高负载时以谷锁闭准谐振峰值电流控制模式运行,以提供高能效。当辅助侧功率开始消失时,该控制器将自动调节占空比,然后在更低负载下,该控制器通过谷开关勘测,以固定峰值电流进入脉冲频率调制。这种技术允许在微小的虚拟负载下保持输出调节。前 4 个谷中的谷锁闭可防止谷跳跃运行,然后在更低负载下的固开关可提供高能效。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCP1365BABCYDR2G
商品编号
C904444
商品封装
SOIC-7​
包装方式
编带
商品毛重
0.176克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录AC-DC控制器和稳压器
是否隔离隔离
工作电压6.5V~28V
属性参数值
开关频率110kHz
拓扑结构反激式
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)

商品概述

NCP1360/65为通用市电反激式应用提供了一种新的解决方案,适用于几瓦至20 W的输出功率水平。借助一种新方法,这款新型控制器在实现出色的线性和负载调节的同时,省去了次级反馈电路(光耦合器和TL431基准源)。 NCP1360/65在标称负载下以谷底锁定准谐振峰值电流模式控制模式运行,以实现高效率。当次级侧功率开始降低时,开关频率自然升高,直到压控振荡器(VCO)起主导作用,使MOSFET在漏源电压谷底导通。通过逐步进入后续谷底,频率会降低,直至达到第4个谷底。超过这一点后,在谷底开关模式下,频率会线性降低,直至达到最小值。这种技术可在极小的假负载情况下保持输出稳压。前四个漏源谷底期间的谷底锁定可防止出现不稳定的离散跳变,并在轻载情况下实现良好的效率。

商品特性

  • 初级侧反馈省去光耦合器和TL431基准源
  • ±5%电压调节精度
  • ±10%电流调节精度
  • 560 V启动电流源
  • 无频率钳位,提供80或110 kHz最大开关频率选项
  • 具有谷底开关操作的准谐振运行
  • 固定峰值电流和轻载运行时的深度频率折返
  • 外部恒压反馈调节
  • 逐周期峰值电流限制
  • 内置软启动
  • 输出过压和欠压保护
  • 电缆压降补偿(无补偿、150 mV、300 mV或450 mV可选)
  • 宽VCC工作范围(最高28 V)
  • NCP1360的低启动电流(典型值2.5 μA)
  • 用于MOSFET的钳位栅极驱动输出
  • CS和Vs/ZCD引脚短路和开路保护
  • 内部温度关断
  • NCP1365版本在高压输入时空载功耗低于10 mW
  • NCP1360版本在高压输入时空载功耗低于30 mW
  • 这些器件为无铅器件

应用领域

  • 用于充电器的低功率AC-DC适配器
  • 用于手机、平板电脑和相机的AC-DC USB充电器

数据手册PDF

交货周期

订货119-121个工作日

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 5000 个)
起订量:5000 个2500个/圆盘

总价金额:

0.00

近期成交0