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MC74VHC4051DR2G

高性能硅栅CMOS模拟多路复用器/解复用器

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描述: 高性能硅门极 MC74VHC4051、MC74VHC4052 和 MC74VHC4053 使用硅门极 CMOS 技术，可实现快速传播延迟、低导通电阻和低关断漏电流。这些模拟多路复用器/信号分离器控制在完整电源范围（从 VCC 到 VEE）内变化的模拟电压。VHC4051、VHC4052 和 VHC4053 与高速 HC4051A、HC4052A 和 HC4053A，以及金属门极 MC14051B、MC14052B 和 MC14053B 的引脚输出完全相同。沟道选择输入通过模拟开关决定将哪个模拟输入/输出联接公共输出/输入。启用引脚为高电平时，所有模拟开关关闭。沟道选择和启用输入与标准 CMOS 输出兼容；带上拉电阻，可兼容 LSTTL 输出。这些器件设计比金属门极 CMOS 模拟开关的导通电阻 (RON) 基于输入电压的线性也更强。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: MC74VHC4051DR2G
商品编号: C904185
商品封装: SOIC-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.3克(g)

商品参数

商品概述

MC74VHC4051、MC74VHC4052 和 MC74VHC4053 采用硅栅 CMOS 技术，以实现快速传播延迟、低导通电阻和低关断漏电流。这些模拟多路复用器/解复用器可以控制在整个电源范围（从 VCC 到 VEE）内变化的模拟电压。通道选择输入通过模拟开关决定哪一个模拟输入/输出将连接到公共输出/输入。当使能引脚为高电平时，所有模拟开关都关闭。通道选择和使能输入与标准 CMOS 输出兼容；通过上拉电阻，它们与 LSTTL 输出兼容。这些器件的设计使得导通电阻 (Ron) 在输入电压范围内比金属栅极 CMOS 模拟开关更线性。

主要特性包括：

快速切换和传播速度
开关间低串扰
所有输入/输出上的二极管保护
模拟电源范围 (VCC - VEE) = 2.0 至 12.0 V
数字（控制）电源范围 (VCC - GND) = 2.0 至 6.0 V
线性度更好且导通电阻低于金属栅极同类产品
低噪声
芯片复杂度：VHC4051 — 184 个 FET 或 46 个等效门，VHC4052 — 168 个 FET 或 42 个等效门，VHC4053 — 156 个 FET 或 39 个等效门
NLV 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q100 标准并具有 PPAP 能力
无铅、无卤素/无 BFR，并符合 RoHS 标准

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	属性	参数值
	商品目录	信号开关/编解码器/多路复用器
	工作电压	2V~6V
	工作温度	-55℃~+125℃

	属性	参数值
	传播延迟(tpd)	75ns@6.0V,50pF
	静态电流(Iq)	40uA