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MC34074VDR2G
MC34074VDR2G
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- 描述
- 采用优质双极制造工艺和创新设计理念。该系列运算放大器提供4.5MHz的增益带宽积、13V/μs的压摆率和快速建立时间，无需使用JFET器件技术。虽然该系列可以使用双电源供电，但特别适合单电源工作，因为共模输入电压范围包括地电位 (VEE)。具有达林顿输入级，该系列具有高输入电阻、低输入失调电压和高增益
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MC34074VDR2G
- 商品编号
- C903959
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | FET输入运放 | |
| 放大器数 | - | |
| 增益带宽积(GBP) | 4.5MHz | |
| 输入偏置电流(Ib) | 100nA | |
| 输入失调电压(Vos) | 3mV | |
| 共模抑制比(CMRR) | 97dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 压摆率(SR) | 13V/us | |
| 静态电流(Iq) | 1.9mA | |
| 轨到轨 | - | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 10uV/℃ | |
| 输出电流 | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
MC33071/72/74、MC34071/72/74、NCV33072/74A 系列单片运算放大器采用了优质双极工艺制造和创新设计理念。该系列运算放大器提供 4.5 MHz 的增益带宽积、13 V/μs 的压摆率和快速建立时间，且无需使用 JFET 器件技术。虽然该系列可以采用双电源供电，但它特别适合单电源工作，因为共模输入电压范围包含地电位（VEE）。该系列采用达林顿输入级，具有高输入电阻、低输入失调电压和高增益的特点。全 NPN 输出级的特点是无死区交越失真和大输出电压摆幅，提供高电容驱动能力、出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/灌交流频率响应。 MC33071/72/74、MC34071/72/74、NCV33072/74A 系列器件有标准或优质性能（后缀 A）等级可供选择，并规定了商业、工业/车载 温度范围。完整的单、双和四运算放大器系列采用塑料 DIP、SOIC、QFN 和 TSSOP 表面贴装封装。
商品特性
- 宽带宽：4.5 MHz
- 高压摆率：13 V/μs
- 快速建立时间：1.1 μs 至 0.1%
- 宽单电源工作范围：3.0 V 至 44 V
- 宽输入共模电压范围：包含地（VEE）
- 低输入失调电压：最大 3.0 mV（后缀 A）
- 大输出电压摆幅：-14.7 V 至 +14 V（±15 V 电源供电时）
- 高电容驱动能力：0 pF 至 10,000 pF
- 低总谐波失真：0.02%
- 出色的相位裕度：60°
- 出色的增益裕度：12 dB
- 输出短路保护
- 静电放电二极管/钳位器为双和四运算放大器提供输入保护
- NCV 前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC - Q100 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）且符合 RoHS 标准
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