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2N6520TA
PNP 电流:500mA 电压:350V
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- 描述
- 特性：高压晶体管-集电极-发射极电压：VCBO = -350 V。 集电极耗散：PC(max) = 625 mW。 与2N6517互补
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2N6520TA
- 商品编号
- C900716
- 商品封装
- TO-92-3L
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 350V | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 20 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |