2N6052G
2N6052G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2N6052G
- 商品编号
- C897790
- 商品封装
- TO-204-2(TO-3)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 11.925克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 直流电流增益(hFE) | 750 | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 12A | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) |
商品概述
该封装专为通用放大器和低频开关应用而设计。
商品特性
- 高直流电流增益 — 在 I_C = 5.0 Adc 时，h_FE = 3500（典型值）
- 集电极 - 发射极维持电压 - 在 100 mA 时，V_CEO(sus) = 100 Vdc（最小值）
- 内置基极 - 发射极并联电阻的单片结构
- 这是一款无铅器件
应用领域
- 通用放大器
- 低频开关应用