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TIP122G
NPN 100V 5A
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- 描述
- 该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。TIP120、TIP121、TIP122 (NPN)；TIP125、TIP126、TIP127 (PNP) 为互补器件。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- TIP122G
- 商品编号
- C897224
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 集电极电流(Ic) | 5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 200uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 4V@5A,20mA | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 2.5V |
商品概述
专为通用放大器和低速开关应用而设计。
商品特性
- 高直流电流增益 —— hFE = 2500（典型值），@ IC = 4.0 Adc
- 集电极 - 发射极维持电压 —— @ 100 mA ADC
- 低集电极 - 发射极饱和电压 —— VCE(sat) = 2.0 Vdc（最大值），@ IC = 3.0 Adc；VCE(sat) = 4.0 Vdc（最大值），@ IC = 5.0 Adc
- 内置基极 - 发射极并联电阻的单片结构
- 提供无铅封装*
应用领域
- 通用放大器
- 低速开关应用