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SBC856BLT3G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SBC856BLT3G

PNP 电流:100mA 电压:65V

描述
特性:S和NSV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
SBC856BLT3G
商品编号
C896888
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.083克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)65V
耗散功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE)90@10uA,5.0V
属性参数值
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集射极饱和电压(VCE(sat))-
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V

数据手册PDF

交货周期

订货65-67个工作日

购买数量

(50000个/圆盘,最小起订量 50000 个)
起订量:50000 个50000个/圆盘

总价金额:

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