SZESD7571MXWT5G

ESD7571旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间，使这些器件成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使该器件非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

• 行业领先的电压电容线性度
• 超低电容：最大0.35 pF
• 耐受电压：5.3 V
• 低泄漏：< 1 nA
• 低动态电阻：< 1 Ω
• IEC61000-4-2 4级静电放电保护
• 1000次IEC61000-4-2静电放电冲击：±8 kV接触/空气放电
• SZESD7571MXWT5G - 可焊侧翼封装，便于进行最佳自动光学检测（AOI）
• SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
• 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

• 射频信号静电放电保护
• 射频开关、功率放大器（PA）和天线静电放电保护
• 近场通信
• USB 2.0、USB 3.0