NSBC144EDXV6T1G
50V 100mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSBC144EDXV6T1G
- 商品编号
- C895116
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 1.2V | |
| 输出电压(VO(on)) | 200mV | |
| 输入电阻 | 47kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品概述
该系列数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管;一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中,从而省去了它们。使用BRT可以降低系统成本并节省电路板空间。
商品特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的S和NSV前缀;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),且符合RoHS标准
相似推荐
其他推荐
- NSBC144EPDXV6T1G
- NSBC144WDXV6T1G
- NSTB1002DXV5T1G
- NSTB1005DXV5T1G
- NSVB143ZPDXV6T1G
- NSVBA114EDXV6T1G
- NSVBA114YDXV6T1G
- NSVBA143ZDXV6T1G
- NSVBC114EDXV6T1G
- NSVBC114EPDXV6T1G
- NSVBC114YDXV6T1G
- NSVBC114YPDXV6T1G
- NSVBC123JPDXV6T1G
- NSVBC124EDXV6T1G
- NSVBC124EPDXV6T1G
- NSVBC124XDXV6T1G
- NSVBC124XPDXV6T1G
- NSVBC143TPDXV6T1G
- NSVBC143ZDXV6T1G
- NSVBC143ZPDXV6T1G
- NSVBC144EPDXV6T1G
