NSTB1005DXV5T1G

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NSTB1005DXV5T1G
商品编号: C895128
商品封装: SOT-553-5
包装方式: 编带
商品毛重: 0.01825克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	数字晶体管
	数量	1个NPN,1个PNP-预偏置
	集射极击穿电压(Vceo)	50V
	集电极电流(Ic)	100mA
	耗散功率(Pd)	500mW
	晶体管类型	NPN+PNP
	直流电流增益(hFE)	80
	射基极击穿电压(Vebo)	-
	最小输入电压(VI(on))	-

商品概述

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，从而省去了这些组件。NSTB1005DXV5T1包含两个互补的BRT器件，采用SOT - 553封装，非常适合对电路板空间要求苛刻的低功耗表面贴装应用。

商品特性

-简化电路设计-减少电路板空间-减少元件数量-提供8 mm、7英寸卷带包装-这是一款无铅器件

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	最大输入电压(VI(off))	-
	输出电压(VO(on))	-
	输入电阻	61.1kΩ
	电阻比率	1.2
	工作温度	-
	集射极饱和电压(VCE(sat))	250mV
	特征频率(fT)	-
	集电极截止电流(Icbo)	100nA