温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSTB1005DXV5T1G
NSTB1005DXV5T1G
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSTB1005DXV5T1G
- 商品编号
- C895128
- 商品封装
- SOT-553-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN,1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 输入电阻 | 61.1kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 |
商品概述
BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，从而省去了这些组件。NSTB1005DXV5T1包含两个互补的BRT器件，采用SOT - 553封装，非常适合对电路板空间要求苛刻的低功耗表面贴装应用。
商品特性
-简化电路设计-减少电路板空间-减少元件数量-提供8 mm、7英寸卷带包装-这是一款无铅器件
相似推荐
其他推荐
- NSVB143ZPDXV6T1G
- NSVBA114EDXV6T1G
- NSVBA114YDXV6T1G
- NSVBA143ZDXV6T1G
- NSVBC114EDXV6T1G
- NSVBC114EPDXV6T1G
- NSVBC114YDXV6T1G
- NSVBC114YPDXV6T1G
- NSVBC123JPDXV6T1G
- NSVBC124EDXV6T1G
- NSVBC124EPDXV6T1G
- NSVBC124XDXV6T1G
- NSVBC124XPDXV6T1G
- NSVBC143TPDXV6T1G
- NSVBC143ZDXV6T1G
- NSVBC143ZPDXV6T1G
- NSVBC144EPDXV6T1G
- NSVEMC2DXV5T1G
- DTA113EM3T5G
- DTA114EM3T5G
- DTA114TM3T5G