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SNSS20101JT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SNSS20101JT1G

SNSS20101JT1G

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
SNSS20101JT1G
商品编号
C894414
商品封装
SC-89-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)20V
耗散功率(Pd)225mW
属性参数值
直流电流增益(hFE)200
特征频率(fT)350MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))220mV

商品概述

e²PowerEdge系列低VCE(sat)晶体管是微型表面贴装器件,具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力。这些器件专为低压、高速开关应用而设计,在这些应用中,经济高效的能源控制至关重要。

商品特性

  • 通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 以S为前缀,适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用
  • 这些是无铅器件

应用领域

  • 便携式和电池供电产品(如手机、无绳电话、个人数字助理(PDA)、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器)中的直流-直流转换器和电源管理
  • 大容量存储产品(如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制
  • 汽车行业:安全气囊展开和仪表盘
  • 模拟放大器

数据手册PDF