SNSS20101JT1G
SNSS20101JT1G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SNSS20101JT1G
- 商品编号
- C894414
- 商品封装
- SC-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 200 | |
| 特征频率(fT) | 350MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 220mV |
商品概述
e²PowerEdge系列低VCE(sat)晶体管是微型表面贴装器件,具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力。这些器件专为低压、高速开关应用而设计,在这些应用中,经济高效的能源控制至关重要。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 以S为前缀,适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用
- 这些是无铅器件
应用领域
- 便携式和电池供电产品(如手机、无绳电话、个人数字助理(PDA)、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器)中的直流-直流转换器和电源管理
- 大容量存储产品(如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制
- 汽车行业:安全气囊展开和仪表盘
- 模拟放大器
