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MUN2116T1G
MUN2116T1G
- 描述
- 此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MUN2116T1G
- 商品编号
- C891784
- 商品封装
- SC-59
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 230mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 160@5mA,10V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.3V@10mA,0.3V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输入电阻 | 6.1kΩ |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 69000 个)个
起订量：69000 个3000个/圆盘
总价金额：
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