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MSD42WT1G
NPN 电流:150mA 电压:300V
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- 描述
- 这款NPN硅平面晶体管专为通用放大器应用而设计。该器件采用SC - 70/SOT - 323封装，此封装专为低功率表面贴装应用而设计。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MSD42WT1G
- 商品编号
- C891781
- 商品封装
- SC-70
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 300V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 25@1.0mA,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
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