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MMBFJ201

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属性参数值
商品目录结型场效应管(JFET)
FET类型N沟道
栅源截止电压(VGS(off)@ID)300mV@10nA
栅源击穿电压(V(BR)GSS)40V
功率(Pd)350mW
属性参数值
漏源导通电阻(RDS(on))-
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)200uA@20V
输入电容(Ciss@Vds)-
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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