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MMBT2222A-7-F实物图
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MMBT2222A-7-F

NPN 电流:600mA 电压:40V

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描述
特性:外延平面芯片结构。 低饱和电压:VCE(sat) < 300mV @ 150mA。 互补PNP型。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,环保器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
MMBT2222A-7-F
商品编号
C94515
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)350mW
直流电流增益(hFE)100@150mA,10V
属性参数值
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)10nA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V

数据手册PDF

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