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DTC114EET1G
耐压:50V 电流:100mA
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描述
此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
DTC114EET1G商品编号
C94400商品封装
SC-75(SOT-523)包装方式
编带
商品毛重
0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 晶体管类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 35@5mA,10V |
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