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DTC114EET1G

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描述
此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
DTC114EET1G
商品编号
C94400
商品封装
SC-75(SOT-416)​
包装方式
编带
商品毛重
0.26克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量-
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)35@5mA,10V
属性参数值
最小输入电压(VI(on))2.5V@10mA,0.3V
最大输入电压(VI(off))1.2V
输出电压(VO(on))200mV
输入电阻10kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

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(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)
起订量:10 个3000个/圆盘

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