AO4821-VB
2个P沟道 耐压:20V 电流:8.9A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款双P型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于电源管理模块、电路保护模块、电机驱动模块等领域。SOP8;2个P—Channel沟道,-20V;-8.9A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.4~-1V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AO4821-VB商品编号
C879129商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.177克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 8.9A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@4.5V,8.9A | |
功率(Pd) | 2W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@350uA |
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