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UTM4953-S08-R-VB
2个P沟道 耐压:30V 电流:7.3A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于需要高功率和高耐压的应用场景，包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-7.3A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- UTM4953-S08-R-VB
- 商品编号
- C879122
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V,6.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个4000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单