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FDN5630-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 81249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% Rg 测试。 100% UIS 测试。应用：电池开关。 DC/DC 转换器
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDN5630-VB
- 商品编号
- C879089
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻 (Rg) 测试
- 100% 进行非钳位感性开关 (UIS) 测试
应用领域
- 电池开关-DC/DC 转换器