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SI2307DS-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2307DS-VB
- 商品编号
- C879082
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V,5.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 移动计算
- 负载开关
- 笔记本电脑适配器开关
- DC/DC转换器