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FDS6670AS-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 描述
- 特性：无卤。 沟槽功率MOSFET。 针对高端同步整流器操作进行优化。 100%栅极电阻测试。 100%单脉冲雪崩测试。应用：笔记本电脑CPU核心-高端开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDS6670AS-VB
- 商品编号
- C879064
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V；11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
优惠活动
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起订量：1 个4000个/圆盘
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