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SIS436DN-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIS436DN-VB
- 商品编号
- C879044
- 商品封装
- QFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,30A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 直流-直流转换 - 低端开关
- 笔记本电脑
- 游戏