FDD120AN15A0-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:25.4A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N场效应管,采用Trench工艺。适用于低功耗电子设备、电源管理模块、工业控制设备等领域。TO252;N—Channel沟道,150V;25.4A;RDS(ON)=74mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDD120AN15A0-VB商品编号
C879035商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
0.39克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
连续漏极电流(Id) | 25.4A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 74mΩ@10V,25.4A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | - | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - |
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