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FDS5670-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:12.6A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDS5670-VB
- 商品编号
- C879017
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,4.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.1nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@30V |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤标准
- 沟槽功率MOSFET
- 针对“低端”同步整流器操作进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 提供无卤版本
应用领域
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）逆变器