温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLR120NTR-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLR120NTR-VB
- 商品编号
- C878917
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.435克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 114mΩ@10V,15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温150 °C
- PWM优化
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合欧盟RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关