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MTD3055EL-VB
1个N沟道 耐压:60V
- 描述
- 特性：Trench Power MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 符合RoHS标准。 无卤。应用：DC/DC转换器。 DC/AC逆变器
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- MTD3055EL-VB
- 商品编号
- C878891
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@10V,18.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 41.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- DC/DC转换器
- DC/AC逆变器
- 电机驱动器