WSF25N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:25A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WSF25N20是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSF25N20符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF25N20
- 商品编号
- C92372
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
优惠活动
- 返6%
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交15单
