MB85RS64PNF-G-JNERE1
64K (8K × 8) Bit SPI FRAM
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- 描述
- 64-Kbit(8K × 8bit)，SPI接口，工作电压：3.0V to 3.6V
- 商品型号
- MB85RS64PNF-G-JNERE1
- 商品编号
- C8741
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.314克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 工作电流 | 1.5mA | |
| 时钟频率(fc) | 20MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 5uA | |
| 睡眠模式电流(Izz) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 1000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 功能特性 | 工作状态指示 |
商品概述
MB85RS64是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为8192字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺形成非易失存储单元。采用串行外设接口（SPI）。无需备用电池即可保持数据，而SRAM需要备用电池。存储单元可进行10^12次读/写操作，较Flash存储器和E²PROM支持的读写次数有提升。
商品特性
- 位配置：8192字×8位
- 串行外设接口：SPI，对应SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
- 工作频率：20MHz（最大）
- 高耐久：10^12次/字节
- 数据保持：10年（+85℃）、95年（+55℃）、超过200年（+35℃）
- 工作电源电压：2.7V至3.6V
- 低功耗：工作电源电流1.5mA（典型@20MHz），待机电流5μA（典型）
- 工作环境温度范围：-40℃至+85℃
应用领域
- 适用于需要非易失数据存储且无需备用电池的设备
- 适用于需要高速写入、无等待时间的数据存储场景
- 可通过SPI端口与微控制器连接，用于多设备系统
- 在没有SPI端口时可通过SI和SO总线连接使用
- 可用于读/写操作频繁的数据存储场景
- 可作为SRAM、Flash存储器、E²PROM相关存储应用的替代或改进方案
- MB85RS256BPNF-G-JNERE1
- STC12LE5A08S2-35I-LQFP44
- STC12LE5A32S2-35I-LQFP44
- STC12C5A48S2-35I-LQFP44
- STC89LE52RC-40I-LQFP44
- STC89LE54RD+
- STC89LE58RD+40I-LQFP44
- STC89LE516RD+
- STC12C5201AD-35I-SOP20
- STC12LE5A60S2-35I-LQFP44
- STC12LE5608AD-35I
- STC12LE5616AD-35I-LQFP32
- STC12C5410AD-35I-LQFP32
- 10D471K
- PIC16F690-I/P
- PIC16F883-I/SS
- PIC16F877A-I/P
- STC90C516AD-40I-LQFP44
- STC12C5A56AD
- CC2520RHDR
- CC2500RTKR