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MB85RC64VPNF-G-JNERE1
64 K (8 K × 8) Bit I2C Memory FRAM
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- 描述
- 64-Kbit(8K × 8bit)，I2C接口，工作电压：3.0V to 5.5V
- 商品型号
- MB85RC64VPNF-G-JNERE1
- 商品编号
- C8740
- 商品封装
- SOIC-8-150mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.322133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 工作电压 | 3V~5.5V | |
| 工作电流 | 130uA | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 10uA | |
| 睡眠模式电流(Izz) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 1000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 功能特性 | - |
商品概述
MB85RC64V是一款FRAM铁电随机存取存储器芯片，配置为8192字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺形成非易失性存储单元。与SRAM不同，MB85RC64V无需数据备份电池即可保存数据。非易失性存储单元的读写耐久性至少为10^12次。写入后无需像闪存或E2PROM那样进行轮询序列。
商品特性
- 位配置：8192字×8位
- 两线串行接口：由串行时钟SCL和串行数据SDA两个端口控制
- 工作频率：1MHz（上限）
- 读写耐久性：10^12次/字节
- 数据保持：10年（+85℃），95年（+55℃），超过200年（+35℃）
- 工作电源电压：3.0V至5.5V
- 低功耗：工作电源电流90μA（典型值@1MHz），待机电流5μA（典型值）
- 工作环境温度范围：-40℃至+85℃
应用领域
- 适用于普通工业用途、一般办公用途、个人用途和家庭用途
- 适用于需要非易失性数据保持且无需数据备份电池的系统
- 适用于需要两线I2C接口从设备通信的场景
- 适用于需要高读写耐久性和高速写入的存储应用
- 适用于读写操作后无需轮询等待的场合
- MB85RS64PNF-G-JNERE1
- MB85RS256BPNF-G-JNERE1
- STC12LE5A08S2-35I-LQFP44
- STC12LE5A32S2-35I-LQFP44
- STC12C5A48S2-35I-LQFP44
- STC89LE52RC-40I-LQFP44
- STC89LE54RD+
- STC89LE58RD+40I-LQFP44
- STC89LE516RD+
- STC12C5201AD-35I-SOP20
- STC12LE5A60S2-35I-LQFP44
- STC12LE5608AD-35I
- STC12LE5616AD-35I-LQFP32
- STC12C5410AD-35I-LQFP32
- 10D471K
- PIC16F690-I/P
- PIC16F883-I/SS
- PIC16F877A-I/P
- STC90C516AD-40I-LQFP44
- STC12C5A56AD
- CC2520RHDR