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LN2312LT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.9A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 产品材料符合 RoHS 要求。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。 能够实现 2.5V 栅极驱动。 更低的导通电阻。 表面贴装封装
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LN2312LT1G
- 商品编号
- C91165
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：10 个3000个/圆盘
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