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HSH150N04
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 180W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@10V,30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
商品概述
HSH150N04是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH150N04符合RoHS和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 100%抗雪崩能力（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术