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HSH190N03
停产 1个N沟道 耐压:30V 电流:190A
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH190N03
- 商品编号
- C845622
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.795克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,40A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 6.9nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 619pF@15V |
商品概述
HSH190N03是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH190N03符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术