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AO4468
1个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- N沟 30V 10.5A
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4468
- 商品编号
- C87410
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,10.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 888pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4468将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(on)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 符合RoHS标准且无卤素
- 具备ESD保护
- 经过100% UIS测试
- 经过100% Rg测试
- 绿色环保产品
应用领域
- 负载开关
- 电池保护