1个N沟道 耐压:60V 电流:700mA
- 20+: ¥0.220599 / 个
- 200+: ¥0.186951 / 个
- 600+: ¥0.168257 / 个
- 3000+: ¥0.110665 / 个 (折合1圆盘332元)
- 9000+: ¥0.100944 / 个 (折合1圆盘302.83元)
- 21000+: ¥0.09571 / 个 (折合1圆盘287.13元)
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¥0.110665 / 个 (折合1圆盘332元) |
9000+: |
¥0.100944 / 个 (折合1圆盘302.83元) |
21000+: |
¥0.09571 / 个 (折合1圆盘287.13元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 700mA | |
功率(Pd) | 250mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V,500mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | - |