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WGP12N65SE
600V N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 44 nC（典型值）。 BVDSS = 650 V，ID = 12 A。 RDS(on)：0.6 Ω（最大值）@ VG = 10 V。 100% 雪崩测试
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGP12N65SE
- 商品编号
- C7541358
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.834克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |