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WGP2N65SE
650V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 6.7nC（典型值）。 BVDSS = 650V，Lp = 2A。 RDS(on)：4.5Ω（典型值），Vg = 10V。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGP2N65SE
- 商品编号
- C7541353
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 低本征电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 75 nC（典型值）。
- VDSS = 650 V， ID = 20 A
- RDS(导通)：0.42Ω（最大值）@V_G = 10V
- 经过100%雪崩测试
- TO - 220F