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WGF4N65SE
650V N沟道MOSFET
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- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGF4N65SE
- 商品编号
- C7541334
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.4pF | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品特性
- 低固有电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷:Qg = 14nC(典型值)。
- BVDSS = 650 V,ID = 4A
- RDS(导通):2.50 Ω(最大值)@ VG = 10 V
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)