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K4B4G1646D-BYMA
4Gb D-die DDR3L SDRAM x16
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- 描述
- 4Gb DDR3 SDRAM D-die采用32Mbit x 16个输入输出引脚 x 8个存储块的结构。这款同步器件在通用应用场景下可实现高达每秒每引脚1866兆比特（DDR3-1866）的高速双倍数据率传输速率。
- 品牌名称
- SAMSUNG(三星半导体)
- 商品型号
- K4B4G1646D-BYMA
- 商品编号
- C7529192
- 商品封装
- FBGA-96
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 933MHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.35V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- JEDEC标准1.35V（1.28V~1.45V）和1.5V（1.425V~1.575V）
- VDDQ = 1.35V（1.28V~1.45V）和1.5V（1.425V~1.575V）
- 400MHz的fCK对应800Mb/秒/引脚，533MHz的fCK对应1066Mb/秒/引脚，667MHz的fCK对应1333Mb/秒/引脚，800MHz的fCK对应1600Mb/秒/引脚，933MHz的fCK对应1866Mb/秒/引脚
- 8个存储体
- 可编程CAS延迟（后置CAS）：5、6、7、8、9、10、11、12、13
- 可编程附加延迟：0、CL - 2或CL - 1时钟
- 可编程CAS写延迟（CWL）：DDR3 - 800为5，DDR3 - 1066为6，DDR3 - 1333为7，DDR3 - 1600为8，DDR3 - 1866为9
- 8位预取
- 突发长度：8、4，tCCD = 4，不允许无缝读写（可通过A12或MRS动态调整）
- 双向差分数据选通
- 内部（自）校准：通过ZQ引脚进行内部自校准（RZQ：240欧姆 ± 1%）
- 通过ODT引脚进行片上终结
- 在TCASE低于85°C时平均刷新周期为7.8微秒，在85°C < TCASE ≤ 95°C时为3.9微秒
- 支持工业温度范围（-40~95°C）
- 在 - 40°C ≤ TCASE ≤ 85°C时tREFI为7.8微秒
- 在85°C < TCASE ≤ 95°C时tREFI为3.9微秒
- 异步复位
- 封装：96球FBGA - x16
- 所有无铅产品均符合RoHS标准
- 所有产品均无卤素