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2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
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- 描述
- 特性：环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 ESD保护高达2KV（人体模型）
- 品牌名称
- AM(安美)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C7528885
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3Ω@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ES3139KE是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ES3139KE为无铅产品。
商品特性
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 采用高密度单元设计,实现低导通电阻 RDS(ON)
- 电压控制型小信号开关
- 坚固可靠
- 具备高达 2KV(人体模型 HBM)的静电放电(ESD)保护能力
应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换