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2N7002KDW
1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@10V，IDS@500mA = 3Ω。 RDS(ON)，VGS@4.5V，IDS@200mA = 4Ω。 先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 关断状态下的泄漏电流极低。 ESD防护2KV HBM。 符合欧盟RoHS 2002/96/EC指令
- 品牌名称
- AM(安美)
- 商品型号
- 2N7002KDW
- 商品编号
- C7528886
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON),栅源电压VGS为10 V,漏源电流IDS为500 mA时,阻值为3 Ω
- 漏源导通电阻RDS(ON),栅源电压VGS为4.5 V,漏源电流IDS为200 mA时,阻值为4 Ω
- 先进沟槽工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 关断状态下漏电流极低
- 静电放电保护达2 kV(人体模型)
- 符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令