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2SK4013
1个N沟道 耐压:800V 电流:6A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 5.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 640V)。 增强型模式：Vth = 2.0~4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK4013
- 商品编号
- C7527494
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
JMT双N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 60V、5A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 38mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 47mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关-PWM应用-电源管理