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2SK4013
1个N沟道 耐压:800V 电流:6A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 5.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 640V)。 增强型模式：Vth = 2.0~4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK4013
- 商品编号
- C7527494
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
JMT双N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS (ON) = 1.35 Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 5.0 S(典型值)
- 低泄漏电流:IDSS = 100 μA(最大值)(VDS = 640 V)
- 增强型:Vth = 2.0 ~ 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
应用领域
-计算机-个人设备-办公设备-测量设备-工业机器人-家用电器