我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
1EDN7512(TOKMAS)实物图
  • 1EDN7512(TOKMAS)商品缩略图
  • 1EDN7512(TOKMAS)商品缩略图
  • 1EDN7512(TOKMAS)商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

1EDN7512(TOKMAS)

单通道高速低端驱动器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
栅极驱动IC 驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:4.5V~18V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A
商品型号
1EDN7512(TOKMAS)
商品编号
C7525407
商品封装
TSOT-23-5​
包装方式
编带
商品毛重
0.040567克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数1
灌电流(IOL)4A
拉电流(IOH)4A
工作电压4.5V~24V
上升时间(tr)9ns
属性参数值
下降时间(tf)6ns
传播延迟 tpLH12ns
传播延迟 tpHL12ns
特性欠压保护(UVP);过热保护(OPT)
工作温度-40℃~+150℃
输入高电平(VIH)2.1V~2.4V
输入低电平(VIL)800mV~1V

商品概述

1EDN7512是一款适用于功率MOSFET和IGBT的单通道、高速、低端栅极驱动器,电源电压最高可达24V。1EDN7512可提供和吸收4A的峰值电流,输入到输出的最小传播延迟为12ns。能够处理-5V直流输入,提高了驱动器输入级的抗噪能力;24V轨到轨输出在开关负载快速转换期间增强了1EDN7512输出级的稳健性。

商品特性

  • 宽电源电压范围:4.5V - 24V
  • 4A峰值源电流和4A峰值灌电流
  • 双输入配置:同相(IN+)或反相(IN-)输入
  • 负输入电压能力:低至 -5V
  • TTL输入逻辑阈值
  • 传播延迟:12ns
  • 快速上升和下降时间:9ns和6ns
  • 低静态电流:38uA
  • 电源电压欠压锁定保护
  • 输入浮空时输出为低电平
  • 热关断保护:170℃
  • 采用TSOT23-5L封装

应用领域

  • 功率MOSFET栅极驱动器
  • IGBT栅极驱动器
  • GaN器件栅极驱动器
  • 开关电源
  • 电机控制、太阳能发电

数据手册PDF