1EDN7512(TOKMAS)
单通道高速低端驱动器
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- 描述
- 栅极驱动IC 驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:4.5V~18V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- 1EDN7512(TOKMAS)
- 商品编号
- C7525407
- 商品封装
- TSOT-23-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 4.5V~24V | |
| 上升时间(tr) | 9ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 6ns | |
| 传播延迟 tpLH | 12ns | |
| 传播延迟 tpHL | 12ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP);过热保护(OPT) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.1V~2.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1V |
商品概述
1EDN7512是一款适用于功率MOSFET和IGBT的单通道、高速、低端栅极驱动器,电源电压最高可达24V。1EDN7512可提供和吸收4A的峰值电流,输入到输出的最小传播延迟为12ns。能够处理-5V直流输入,提高了驱动器输入级的抗噪能力;24V轨到轨输出在开关负载快速转换期间增强了1EDN7512输出级的稳健性。
商品特性
- 宽电源电压范围:4.5V - 24V
- 4A峰值源电流和4A峰值灌电流
- 双输入配置:同相(IN+)或反相(IN-)输入
- 负输入电压能力:低至 -5V
- TTL输入逻辑阈值
- 传播延迟:12ns
- 快速上升和下降时间:9ns和6ns
- 低静态电流:38uA
- 电源电压欠压锁定保护
- 输入浮空时输出为低电平
- 热关断保护:170℃
- 采用TSOT23-5L封装
应用领域
- 功率MOSFET栅极驱动器
- IGBT栅极驱动器
- GaN器件栅极驱动器
- 开关电源
- 电机控制、太阳能发电
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