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SiZ254DT-T1-GE3
双N沟道70V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 集成MOSFET半桥功率级。 优化的Qgs/Qgd比改善开关特性。应用：POL同步降压转换器。 电信DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SiZ254DT-T1-GE3
- 商品编号
- C7503829
- 商品封装
- PowerWDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.1mΩ@10V,32.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 4.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 795pF@35V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF@35V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用制造商的先进工艺制造，该工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，并保持卓越的开关性能。
商品特性
- 低栅极电荷（典型值2.78 nC）
- 快速开关
- VDS(V) = 100 V
- RDS(ON) = 124 mΩ（VGS = 10 V）
- RDS(ON) = 175 mΩ（VGS = 5 V）
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
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