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SI7942DP-T1-E3
双N沟道100-V(D-S) MOSFET
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21标准。 TrenchFET功率MOSFET。 新型低热阻PowerPAK封装。 双MOSFET节省空间。应用：同步降压抗直通。 适用于初级侧开关优化
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7942DP-T1-E3
- 商品编号
- C7503418
- 商品封装
- POWERPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@6V；49mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：
- 背光照明
- 电源管理功能
- 直流-直流转换器
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 采用新型低热阻 PowerPAK 封装
- 双 MOSFET 设计,节省空间
应用领域
-同步降压抗直通-优化用于初级侧开关
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